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PDTA123ET,215

更新時間:2025-07-18 03:32:35

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PDTA123ET,215外觀圖

PDTA123ET,215

NXP Semiconductors 晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式

TRANS PNP 50V 100MA SOT23

封裝:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

PDTA123ET,215 概述

PDTA123ET,215是Nexperia公司生產的一款雙極型晶體管，具體為PNP晶體管。它采用SOT-457封裝，這種封裝形式使得它在空間受限的應用中非常適用。該晶體管的最大集電極 - 發(fā)射極電壓為 -60V，在集電極電流為 -150mA時能正常工作，具有低飽和電壓的特點。它適用于多種應用場景，例如信號放大和開關電路。在音頻設備中可用于音頻信號的放大；在控制電路里可用作開關來控制其他元器件的工作狀態(tài)。由于其小封裝和性能特點，在便攜式設備、消費類電子產品等領域也有廣泛應用。使用時要注意根據(jù)實際電路需求選擇合適的基極電阻以確保晶體管工作在合適的狀態(tài)，并且要考慮散熱問題，避免因過熱而損壞晶體管。

PDTA123ET,215 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產品
家庭
晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
系列
-
晶體管類型
PNP - 預偏壓
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
100mA
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
50V
電阻器 - 基極 (R1)（歐）
2.2k
電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）
2.2k
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)
30 @ 20mA，5V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）
150mV @ 500µA，10mA
電流 - 集電極截止（最大）
1µA
頻率 - 轉換
-
功率 - 最大
250mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商設備封裝
TO-236AB
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
934054696215PDTA123ET T/RPDTA123ET T/R-ND

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