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NVTFS4C13NTWG

更新時間:2025-05-22 13:46:06

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NVTFS4C13NTWG 概述

NVTFS4C13NTWG是一款由ON Semiconductor生產(chǎn)的P溝道MOSFET。它采用DFN8 5x6封裝，適用于需要高效功率轉換和控制的應用場景。該MOSFET的最大漏極-源極電壓(VDS)為-30V，在室溫下連續(xù)漏極電流(ID)可達-20A，具有低導通電阻(RDS(on))，有助于減少傳導損耗。此款MOSFET廣泛應用于電源管理、負載開關、電機驅動等領域。例如在電池供電設備中，可用作電源開關來延長電池壽命；在DC-DC轉換器中作為同步整流管以提高效率。使用時應注意遵循推薦的PCB布局規(guī)則，確保良好的散熱性能，并且要避免超出最大額定值以免損壞器件。

NVTFS4C13NTWG 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨
系列
Automotive, AEC-Q101
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
30 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
14A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
9.4 毫歐 @ 30A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
2.1V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
15.2 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
770 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3W（Ta），26W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
8-WDFN（3.3x3.3）
封裝/外殼
8-PowerWDFN

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NVTFS4824NTWG
NVTFS5116PLTAG
NVTFS5811NLTAG
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NE555D

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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