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NVF6P02T3G

更新時間:2025-05-19 12:20:44

供應(yīng)商
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全新原裝現(xiàn)貨，可開專票

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深圳原裝現(xiàn)貨，可看貨可提供拍照

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NVF6P02T3G 概述

NVF6P02T3G是安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)生產(chǎn)的一款P溝道MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導(dǎo)通電阻特性，在4.5V柵極電壓下最大導(dǎo)通電阻僅為28mΩ（典型值為22mΩ），適用于高效能的電源管理應(yīng)用。其連續(xù)漏極電流ID在室溫下可高達12A。該MOSFET非常適合用于負載開關(guān)、電源管理以及電池充電電路等場景。由于其低功耗和高效率特點，常被應(yīng)用于便攜式設(shè)備、消費電子和工業(yè)控制等領(lǐng)域中需要精確功率控制的部分。在實際使用時應(yīng)注意避免超過最大額定電壓與電流值，確保散熱良好以維持性能穩(wěn)定。

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NVF6P02T3G
NE555D

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