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NTMS5835NLR2G

更新時(shí)間:2025-05-23 08:44:35

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號(hào)
服務(wù)標(biāo)識(shí)
數(shù)量
廠商
封裝/批號(hào)
說明
詢價(jià)

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只做原裝，支持賬期，提供一站式配單服務(wù)

上海馳循電子科技有限公司
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深圳市正納電子有限公司
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深圳市科芯源微電子有限公司
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深圳市金銳力科技有限公司
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深圳市硅宇電子有限公司
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深圳市米數(shù)科技有限公司
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深圳市科圳威電子有限公司
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ON Semiconductor
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安富微（深圳）商貿(mào)有限公司
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進(jìn)口現(xiàn)貨

深圳市正川電子有限公司
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ON Semiconductor
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深圳市金嘉銳電子有限公司
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深圳市誠研翔科技有限公司
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深圳市粵東誠信電子有限公司
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深圳市華芯源電子有限公司
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36880
ON
21+/SOP8
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NTMS5835NLR2G外觀圖

NTMS5835NLR2G

ON Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 40V 9.2A 8SOIC

封裝:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

NTMS5835NLR2G 概述

NTMS5835NLR2G是安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor）生產(chǎn)的一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET，采用超小型的TSOP-6封裝，適用于需要高效能和節(jié)省空間的應(yīng)用場景。該MOSFET具有低導(dǎo)通電阻（Rds(on)），這有助于減少功率損耗并提高整體系統(tǒng)效率。其最大漏極-源極電壓（Vds）為30V，適合中低壓應(yīng)用環(huán)境。典型應(yīng)用場景包括負(fù)載開關(guān)、電源管理、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及便攜式設(shè)備中的電池保護(hù)電路等。在這些場合下，NTMS5835NLR2G可以提供快速的開關(guān)速度和較低的柵極電荷（Qg），從而實(shí)現(xiàn)更高效的能量傳輸和更小的熱耗散。由于其緊湊的封裝尺寸，它也非常適合集成到空間受限的產(chǎn)品設(shè)計(jì)中，如智能手機(jī)和平板電腦等消費(fèi)類電子產(chǎn)品。使用時(shí)需注意遵循推薦的散熱設(shè)計(jì)和電氣參數(shù)限制以確保長期可靠性。

NTMS5835NLR2G 規(guī)格參數(shù)

標(biāo)準(zhǔn)包裝
2,500
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
40V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
9.2A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
10 毫歐 @ 10A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
50nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
2115pF @ 20V
功率 - 最大
1.5W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝
8-SOICN
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
NTMS5835NLR2G-NDNTMS5835NLR2GOSTR

芯知識(shí)

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廣東微爾科技有限公司

NTMS5835NLR2G相關(guān)型號(hào)

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NTMS5835NLR2G
NTMS10P02
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IC型號(hào)索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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