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NTMS4937NR2G

更新時間:2025-05-19 05:13:46

供應商
產(chǎn)品型號
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NTMS4937NR2G外觀圖

NTMS4937NR2G

ON Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SOIC

封裝:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

NTMS4937NR2G 概述

NTMS4937NR2G是由ON Semiconductor（安森美半導體）生產(chǎn)的一款N溝道增強型MOSFET。該器件采用小巧的SC-88封裝，適合空間受限的應用場景。其最大漏源電壓Vds為30V，適用于低壓應用如電源管理、負載開關和DC-DC轉換器等。由于其低導通電阻Rds(on)，可有效降低功耗并提高效率。在便攜式電子設備中，如智能手機和平板電腦，常被用于電池管理和充電電路中。使用建議：在設計時應注意其最大工作電壓不超過30V，并且要確保驅動電壓足夠使MOSFET完全導通以減小導通損耗。對于高頻應用，需考慮柵極電容對電路的影響。在實際布線時，盡量縮短源極與地之間的連線長度，減少寄生電感，防止振蕩現(xiàn)象的發(fā)生。

NTMS4937NR2G 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
8.6A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
6.5 毫歐 @ 7.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
38.5nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
2563pF @ 25V
功率 - 最大
810mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝
8-SOICN
包裝
帶卷 (TR)

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