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NTJD2152PT4G

更新時間:2025-05-22 00:16:54

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NTJD2152PT4G外觀圖

NTJD2152PT4G

ON Semiconductor FET - 陣列

MOSFET P-CH 8V DUAL ESD SOT-363

封裝:6-TSSOP，SC-88，SOT-363

NTJD2152PT4G 規(guī)格參數

標準包裝
10,000
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 陣列
系列
-
FET 型
2 個 P 溝道（雙）
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
8V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
775mA
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
300 毫歐 @ 570mA，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
4nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
225pF @ 8V
功率 - 最大
270mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供應商設備封裝
SOT-363
包裝
帶卷 (TR)

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