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NTGD4161P

更新時間:2025-05-16 08:39:49

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NTGD4161P 概述

NTGD4161P是安森美半導體(ON Semiconductor)生產(chǎn)的一款N溝道增強型MOSFET，采用DPAK封裝形式。該MOSFET具有低導通電阻特性，在柵極電壓為4.5V時典型值僅為30mΩ（25℃），這有助于降低導通損耗，提高電源轉(zhuǎn)換效率。其最大漏源電壓(VDS)為-30V，適用于低電壓應用電路。該器件廣泛應用于負載開關、電池保護和DC - DC轉(zhuǎn)換器等場景。在實際應用中，使用時需注意柵極驅(qū)動電壓要滿足開啟要求以確保MOSFET可靠導通；在布局PCB時，盡量縮短源極到地的走線長度以減小寄生電感影響。例如在電池保護電路中，可將其串聯(lián)在電池充放電回路中，起到過流保護作用。

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