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NTGD3149CT1G

更新時間:2025-06-12 21:23:50

供應商
產(chǎn)品型號
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封裝/批號
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詢價

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NTGD3149CT1G外觀圖

NTGD3149CT1G

ON Semiconductor FET - 陣列

MOSFET COMPL 20V DUAL 6-TSOP

封裝:SC-74，SOT-457

NTGD3149CT1G 概述

NTGD3149CT1G是安森美半導體生產(chǎn)的一款P溝道增強型MOSFET。它采用SOT-223封裝，具有低導通電阻特性，在柵極 - 源極電壓為 - 4.5V時，最大導通電阻僅為0.06Ω。該MOSFET適用于負載開關、電源管理等應用場景。在電池供電設備中，其低導通電阻有助于減少功率損耗，提高能效。在使用時，要注意避免超過其最大漏極 - 源極電壓 - 30V和最大連續(xù)漏極電流 - 8A的限制，以確保器件可靠工作并防止損壞。在電路設計中，可將其用于驅(qū)動繼電器線圈或者作為低邊開關來控制負載的通斷。

NTGD3149CT1G 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 陣列
系列
-
FET 型
N 和 P 溝道
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
3.2A，2.4A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
60 毫歐 @ 3.5A，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
5.5nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
387pF @ 10V
功率 - 最大
900mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
SC-74，SOT-457
供應商設備封裝
6-TSOP
包裝
帶卷 (TR)

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