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NHPV08S600G

更新時間:2025-06-10 06:30:19

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NHPV08S600G 概述

NHPV08S600G是安森美半導體(ON Semiconductor)生產的一款高壓功率MOSFET。該器件采用先進的SuperFET II技術，具有低導通電阻和優(yōu)異的開關性能，適用于高頻開關電源應用。此MOSFET的最大漏源電壓(VDS)為600V，連續(xù)漏極電流(ID)在25°C時為8A。它采用了緊湊的TO-220封裝，便于散熱和安裝。典型應用場景包括AC-DC電源轉換器、適配器、服務器電源以及工業(yè)電機驅動等需要高效功率轉換的場合。在實際應用中，建議使用適當?shù)臇艠O驅動電阻來控制開關速度，減少EMI干擾。同時需確保柵極驅動電壓足夠高以完全開啟MOSFET，推薦使用10-15V的驅動電壓。設計電路時應考慮足夠的散熱措施，并遵循制造商提供的最大工作溫度限制。

NHPV08S600G 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
489現(xiàn)貨
系列
-
包裝
管件
產品狀態(tài)
停產
技術
標準
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）
600 V
電流 - 平均整流 (Io)
8A
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)
3.2 V @ 8 A
速度
快速恢復 =< 500ns，> 200mA（Io）
反向恢復時間 (trr)
50 ns
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏
30 μA @ 600 V
不同?Vr、F 時電容
-
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-2
供應商器件封裝
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工作溫度 - 結
-55°C ~ 150°C

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廣東微爾科技有限公司

NHPV08S600G相關型號

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