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MTP12P10G

更新時間:2025-06-24 11:03:13

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MTP12P10G外觀圖

MTP12P10G

ON Semiconductor FET - 單

MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB

封裝:TO-220-3

MTP12P10G 概述

MTP12P10G是MPS公司生產(chǎn)的一款高性能功率晶體管。該器件采用先進的工藝制造，具有低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力的特點。它是一款N溝道增強型MOSFET，在電源管理、直流-直流轉(zhuǎn)換器以及電機驅(qū)動等應(yīng)用中表現(xiàn)出色。在開關(guān)電源中，MTP12P10G能夠高效地進行能量轉(zhuǎn)換，減少熱損耗，提高整體效率。對于電機驅(qū)動電路，它可以提供精確的控制和快速的開關(guān)響應(yīng)。設(shè)計時需注意其最大電壓和電流限制，確保不超過額定值以避免損壞。在實際布局中，應(yīng)盡量減小走線電感，合理設(shè)置散熱裝置，保證器件穩(wěn)定工作。

MTP12P10G 規(guī)格參數(shù)

標(biāo)準(zhǔn)包裝
50
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點
標(biāo)準(zhǔn)型
漏極至源極電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
12A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
300 毫歐 @ 6A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4.5V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
50nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
920pF @ 25V
功率 - 最大
75W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-220AB
包裝
管件
其它名稱
MTP12P10GOS

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