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MMFT960T1

更新時間:2025-06-14 03:21:06

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
服務(wù)標(biāo)識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市誠研翔科技有限公司
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MMFT960T1外觀圖

MMFT960T1

ON Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 60V 300MA SOT223

封裝:TO-261-4，TO-261AA

MMFT960T1 概述

MMFT960T1是安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)的一款N溝道MOSFET。該器件采用SOT-23封裝，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性。其最大漏源電壓為60V，在柵極驅(qū)動電壓為10V時，典型導(dǎo)通電阻僅為75毫歐姆，這有助于降低導(dǎo)通損耗，提高效率。這款MOSFET適用于多種應(yīng)用場合，如直流-直流轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)和電源管理電路等。在便攜式設(shè)備中使用時，能有效減少功耗并延長電池壽命。設(shè)計時應(yīng)注意其最大漏極電流限制，并確保散熱良好以維持穩(wěn)定工作溫度。若應(yīng)用于高頻開關(guān)電路，建議仔細(xì)選擇柵極驅(qū)動電阻值以優(yōu)化開關(guān)速度和EMI性能。

MMFT960T1 規(guī)格參數(shù)

標(biāo)準(zhǔn)包裝
10
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
300mA
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
1.7 歐姆 @ 1A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
3.5V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
3.2nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
65pF @ 25V
功率 - 最大
800mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-261-4，TO-261AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝
SOT-223
包裝
Digi-Reel?
其它名稱
MMFT960T1OSDKR

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