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MJD31CG

更新時間:2025-06-26 10:58:29

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
服務(wù)標識
數(shù)量
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封裝/批號
說明
詢價

深圳市芯國創(chuàng)科技有限公司
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深圳市智其偉業(yè)電子有限公司
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MJD31CG外觀圖

MJD31CG

ON Semiconductor 晶體管(BJT) - 單路

TRANS POWER NPN 3A 100V DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

MJD31CG 概述

MJD31CG是安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)生產(chǎn)的一款雙NPN功率晶體管，采用TO-220封裝。該器件具有較高的電流處理能力和良好的熱性能，集電極-發(fā)射極擊穿電壓為60V，最大集電極電流可達3A。其典型應(yīng)用包括電機驅(qū)動、繼電器驅(qū)動和中等功率開關(guān)電路。在電機驅(qū)動應(yīng)用中，MJD31CG可以有效控制直流電機的正反轉(zhuǎn)及速度調(diào)節(jié)。由于其大電流能力，在設(shè)計時需注意散熱管理，確保工作溫度不超過最大額定值。對于繼電器驅(qū)動電路，可直接用于驅(qū)動小型電磁繼電器，減少外圍元件數(shù)量。在實際使用中應(yīng)關(guān)注基極電阻的選擇以保證合適的基極電流，避免因過流導(dǎo)致器件損壞。此外，建議在集電極串聯(lián)適當(dāng)保護二極管以吸收感性負載產(chǎn)生的反向電動勢，提高電路可靠性。

MJD31CG 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
75
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
晶體管(BJT) - 單路
系列
-
晶體管類型
NPN
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
3A
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
100V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）
1.2V @ 375mA，3A
電流 - 集電極截止（最大）
50µA
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)
10 @ 3A，4V
功率 - 最大
1.56W
頻率 - 轉(zhuǎn)換
3MHz
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝
DPAK-3
包裝
管件
其它名稱
MJD31CG-NDMJD31CGOS

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