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MJ802G

更新時間:2025-06-15 00:58:16

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MJ802G外觀圖

MJ802G

ON Semiconductor 晶體管(BJT) - 單路

TRANS PWR NPN 90V 30A TO3

封裝:TO-204AA，TO-3

MJ802G 概述

MJ802G是安森美半導體生產的一款高性能N溝道MOSFET。該器件專為高效能開關電源和DC-DC轉換器設計，具備低導通電阻和快速開關特性。其最大漏源電壓（Vds）為60V，適合中等功率的應用場景。典型應用場景包括同步整流、負載開關以及各類需要高效能量轉換的電源管理電路。在應用中建議注意驅動電路的設計，確保柵極電荷得到充分管理以實現(xiàn)最佳開關性能。由于其低Rds(on)，可以有效降低導通損耗，提高系統(tǒng)整體效率。對于需要緊湊設計的場合，MJ802G的小型封裝形式也有助于節(jié)省PCB空間。實際使用時應參考具體電路需求選擇合適的散熱方案，避免過熱影響器件壽命。

MJ802G 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
100
類別
分離式半導體產品
家庭
晶體管(BJT) - 單路
系列
-
晶體管類型
NPN
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
30A
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
90V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）
800mV @ 750mA，7.5A
電流 - 集電極截止（最大）
-
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)
25 @ 7.5A，2V
功率 - 最大
200W
頻率 - 轉換
2MHz
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-204AA，TO-3
供應商設備封裝
TO-3
包裝
托盤
其它名稱
MJ802GOS

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