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HY27US08121M 價格參考、全國供應商、PDF

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    • 大小：735.21 KB
      廠家：HYNIX [Hynix Semiconductor]
      內(nèi)容：512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash

    HY27US08121M 相關(guān)資料

    • 其它信息：
      高密度NAND Flash存儲器：符合大容量存儲應用； NAND接口：×8總線寬度,多路復用地址/數(shù)據(jù)總線引腳兼容； 電源電壓：3.3V設(shè)備VCC＝2.7～3.61/； 存儲器單元陣列：528字節(jié)×32頁×4096塊； 頁面大�。�(512＋16備用的)字節(jié)； 時鐘大�。�(16K＋512備用的)字節(jié)； 頁面讀/編程：隨機存�。�12μs(最大值),順序存�。�50ns(最小值),頁編程時間： 200μs(典型值)； 復制回編程模式：不受外界緩沖的快速頁面復制； 高速緩存編程模式：改善編程吞吐量的內(nèi)部高速緩存； 快速塊擦除：塊擦除時間：2ms(典型值)； 硬件數(shù)據(jù)保護：在電源轉(zhuǎn)換過程中編程/擦除被鎖定；數(shù)據(jù)的完整性：100000次編程/擦除周期,lO年的數(shù)據(jù)保留時間；封裝：48引腳的TSOP和WSOP封裝,63引腳的FBGA封裝
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