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NTHC5513T1G

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深圳市誠研翔科技有限公司
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司
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深圳市芯國創(chuàng)科技有限公司
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只做原裝，支持賬期，提供一站式配單服務(wù)
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深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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深圳市星源微科技有限公司
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原裝現(xiàn)貨，假一賠十

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深圳市岳泰達電子有限公司
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原裝現(xiàn)貨，當(dāng)天可交貨，原型號開票

深圳市安富世紀(jì)電子有限公司
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深圳市華斯頓科技有限公司
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原裝正規(guī)渠道優(yōu)勢商/全新進口深圳現(xiàn)貨原盒原包

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一級代理專營品牌原裝，優(yōu)勢現(xiàn)貨，長期排單到貨

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深圳市萬佳電子貿(mào)易有限公司
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深圳市科翼源電子有限公司
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深圳市金燦利電子科技有限公司
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深圳市君云達電子科技有限公司
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深圳市硅諾電子科技有限公司
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昂富（深圳）電子科技有限公司
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深圳市萊克訊科技有限公司
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深圳市芯國創(chuàng)科技有限公司
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上海馳循電子科技有限公司
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原裝現(xiàn)貨,精專配套,正品BOM表報價

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深圳市芊誠科技電子有限公司
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一站式BOM配單,原廠代理渠道現(xiàn)貨商。

柒號芯城電子商務(wù)(深圳)有限公
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柒號芯城，離原廠的距離只有0.07公分

深圳市硅宇電子有限公司
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NTHC5513T1G外觀圖

NTHC5513T1G

ON Semiconductor FET - 陣列

MOSF N/P-CH 20V 2.9A/2.2A 1206A

封裝:8-SMD，扁平引線

NTHC5513T1G 概述

NTHC5513T1G是由安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)的一款N溝道增強型MOSFET。它采用SOT-223封裝，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，適用于高效電源管理應(yīng)用。該MOSFET常用于直流-直流轉(zhuǎn)換器、負載開關(guān)和電池充電電路中。其最大漏極-源極電壓為30V，可滿足多數(shù)低壓電源系統(tǒng)的需求。在便攜式設(shè)備如智能手機和平板電腦中表現(xiàn)尤為出色，能夠有效提高能效并減少熱損耗。在實際應(yīng)用中，建議在PCB布局時盡量縮短源極和柵極走線長度以減少寄生電感。使用時需要注意控制柵極驅(qū)動電壓，確?？煽块_啟MOSFET。對于需要更高電流的應(yīng)用場景，可以考慮并聯(lián)多個器件以增加總電流能力。在設(shè)計開關(guān)電源時，合理選擇外部元件參數(shù)，如電感值和輸出電容，有助于優(yōu)化整體性能。

NTHC5513T1G 規(guī)格參數(shù)

標(biāo)準(zhǔn)包裝
3,000
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 陣列
系列
chipfet™
FET 型
N 和 P 溝道
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
2.9A，2.2A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
80 毫歐 @ 2.9A，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1.2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
4nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
180pF @ 10V
功率 - 最大
1.1W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-SMD，扁平引線
供應(yīng)商設(shè)備封裝
ChipFET?
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
NTHC5513T1GOSNTHC5513T1GOS-NDNTHC5513T1GOSTR

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