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HGTG11N120CND

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說明
詢價

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深圳市河鋒鑫科技有限公司
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司
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深圳市萬聯(lián)芯科技有限公司
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深圳市凱斯宇科技有限公司
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原裝價優(yōu) 現(xiàn)貨庫存

深圳市硅宇電子有限公司
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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深圳聞舟科技有限公司
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深圳市科圳威電子有限公司
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進口原裝現(xiàn)貨假一賠十

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深圳市昌和盛利電子有限公司
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現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司
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深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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深圳市星宇佳科技有限公司
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現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司
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深圳市威雅利發(fā)展有限公司
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深圳晨欣芯訊電子科技有限公司
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深圳市粵東誠信電子有限公司
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深圳市創(chuàng)寶來科技有限公司
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9800
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HGTG11N120CNDSeries/1808+
原裝正品，亞太區(qū)混合型電子元器件分銷

深圳市金科創(chuàng)世紀電子有限公司
HGTG11N120CND
88700
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長期回收此型號/回收庫存料

深圳市龍崗區(qū)源運電子店
HGTG11N120CND
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深圳市中納芯電子有限公司
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原裝現(xiàn)貨，提供一站式配單服務

深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
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原裝現(xiàn)貨，可提供訂貨服務

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HGTG11N120CND外觀圖

HGTG11N120CND

Fairchild Semiconductor IGBT - 單路

IGBT NPT N-CH 1200V 43A TO-247

封裝:TO-247-3

HGTG11N120CND 概述

HGTG11N120CND是一款由安森美半導體(ON Semiconductor)生產的高性能IGBT器件。它專為高頻開關應用優(yōu)化設計，具有低導通壓降和低開關損耗特性。該元件適用于不間斷電源(UPS)、太陽能逆變器、焊接設備等需要高效能量轉換的領域。在實際應用中，建議將此IGBT用于半橋或全橋拓撲結構的功率變換電路中。由于其快速開關特性，在PCB布局時需特別注意減小寄生電感以避免電壓尖峰。柵極驅動電路應確保干凈且穩(wěn)定的驅動信號，并適當加入阻尼電阻來控制開關速度，防止過沖和振蕩現(xiàn)象的發(fā)生。對于熱管理方面，推薦使用高效的散熱器或者冷卻系統(tǒng)以保持器件在安全工作溫度范圍內運行。

HGTG11N120CND 規(guī)格參數(shù)

產品培訓模塊
High Voltage Switches for Power Processing
標準包裝
150
類別
分離式半導體產品
家庭
IGBT - 單路
系列
-
IGBT 類型
NPT
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
1200V
Vge, Ic時的最大Vce（開）
2.4V @ 15V，11A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
43A
功率 - 最大
298W
輸入類型
標準型
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商設備封裝
TO-247
包裝
管件

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