| 型號(hào) | 供應(yīng)商 | 庫(kù)存 | 品牌 | 單次最多申領(lǐng)數(shù)量（片） | 封裝工藝 | 元件分類 | 申領(lǐng) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NX1117C120Z,115 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NX1029X,115 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-563 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NVTFS5C673NLTAG |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN3X3 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NVTFS5C453NLTAG |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN3X3 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NVTFS5826NLWFTAG |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN3X3 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NVTFS5826NLTAG |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN3*3 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NVTFS5811NLTAG |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN3X3 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NVTFS5124PLTAG |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN3.3.3.3-8 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NVTFS5116PLWFTAG |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN3X3 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NVTFS4C13NWFTWG |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN3X3 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NVTFS4C13NWFTAG |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN3X3 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NVTFS4C05NTAG |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN3X3 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NVR5124PLT1G |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-23 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NVR4501NT1G |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-23 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NVR1P02T1G |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-23 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NVF6P02T3G |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NVF5P03T3G |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NVC6S5A354PLZT1G |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-26 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NUP1301U |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-323 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NTTFS5C673NLTAG |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN3X3 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NTTFS5826NLTWG |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN333-8 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NTTFS5826NLTAG |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN3333-8 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NTTFS5116PLTAG |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN3X3 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NTTFS4C25NTAG |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN3X3 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NTTFS4C13NTAG |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN3333-8 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NTTFS4C10NTAG |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN3333-8 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NTTFS4C08NTAG |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN3333-8 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NTTFS4C06NTAG |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN3333-8 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NTTFS4C05NTAG |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN3X3 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NTTFS030N06CTAG |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN3333-8 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NTTFS020N06CTAG |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN3333-8 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NTTFS015P03P8ZTAG |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN3333-8 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NTTFS015N04CTAG |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN3333-8 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NTTFS008N04CTAG |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN3333-8 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NTTFS005N04CTAG |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN3333-8 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NTTFS004N04CTAG |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN3333-8 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NTMD6P02R2G |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOP-8 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NTMD4N03R2G |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOP-8 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NTMD4820NR2G |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOP-8 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NTLJS4114NT1G |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | WDFN-6 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NTLJF4156NT1G |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | WDFN-6 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NTLJF3117PT1G |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | WDFN-6 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NTLJD3119CT1G |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | WDFN-6 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NTK3139PT1G |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-723 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NTJD5121NT1G |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-363 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NTJD4401NT1G |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-363 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NTJD4158CT1G |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-363 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NTJD4105CT1G |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-363 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NTJD4001NT1G |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-363 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NTJD1155LT1G |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-363 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
深圳市宏捷佳電子科技有限公司
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