| 型號(hào) | 供應(yīng)商 | 庫存 | 品牌 | 單次最多申領(lǐng)數(shù)量（片） | 封裝工藝 | 元件分類 | 申領(lǐng) | |
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| TLV70212DBVR |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-23-5 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| TLV70033DDCR |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT23-5 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| TLV70030DDCR |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT23-5 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| TLV70028DDCR |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT23-5 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| TLV70025DDCR |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT23-5 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| TLV70018DDCR |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT23-5 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| TLV70015DDCR |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT23-5 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| TLV70012DDCR |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT23-5 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| STN4NF03L |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| STN3PF06 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| STN3P6F6 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| STN3P10F6 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| STN3NF06L |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| STN3NE06L |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| STD12NF06LT4 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DPAK | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SSM3J56ACT |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN1006 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SSM3J35CT |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN1006 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SSM3J15CT |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN1006 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SQS423EN-T1_GE3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN3X3-8 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SQ7415AEN-T1_GE3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN3X3-8 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SQ7414AEN-T1_GE3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN3X3-8 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SPX5205M5-L-3-0/TR |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT23-5 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SPX3819M5-L-5-0/TR |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT23-5 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SPX3819M5-L-3-3/TR |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT23-5 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SPX3819M5-L-3-0/TR |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT23-5 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SISS4410DN-T1-GE3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN3X3-8 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SISA88DN-T1-GE3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN3X3-8 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SISA35DN-T1-GE3 |
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| SISA18ADN-T1-GE3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN3X3-8 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SISA14DN-T1-GE3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN3X3-8 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SIS890ADN-T1-GE3 |
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| SIS780DN-T1-GE3 |
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| SIS606BDN-T1-GE3 |
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| SIS478DN-T1-GE3 |
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| SIS472DN-T1-GE3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN3X3-8 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SIS472BDN-T1-GE3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN3X3-8 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SIS472ADN-T1-GE3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN3X3-8 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SIS4634LDN-T1-GE3 |
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| SIS456DN-T1-GE3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN3X3-8 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SIS410DN-T1-GE3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN3X3-8 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SIS402DN-T1-GE3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN3X3-8 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SIS334DN-T1-GE3 |
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| SIS106DN-T1-GE3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN3X3-8 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SI7806ADN-T1-GE3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN3X3-8 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SI7804DN-T1-GE3 |
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| SI7726DN-T1-GE3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN3X3-8 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SI7720DN-T1-GE3 |
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| SI7718DN-T1-GE3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN3X3-8 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SI7716ADN-T1-GE3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN3X3-8 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SI7629DN-T1-GE3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN3X3-8 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
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