深圳市宏捷佳電子科技有限公司
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| 型號 | 供應(yīng)商 | 庫存 | 品牌 | 單次最多申領(lǐng)數(shù)量(片) | 封裝工藝 | 元件分類 | 申領(lǐng) | |
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| SIR436DP-T1-GE3 |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | DFN5060-8L | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| RSD080N06 |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | TO-252 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| MCH3476 |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | SC70-3 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| STM8362&-30V |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | SOP-8 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| STC4516S8R |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | SOP-8 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SI4688DY |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | SOP-8 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| Si2338DS-T1-GE3 |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | SOT-23-3 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| BUK7L11-34ARC |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | TO-220-3 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| HM8810A |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | SOT-23-6 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| AON7403 |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | DFN2030-6L | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| AO4410 |
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| ME15N10 |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | TO-252 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| IRFR024N |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | TO-252 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| BS170FTA |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | SOT-23-3 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| AM2339P-T1 |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | SOT-23-3 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| 2SJ529STL |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | TO-252 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SUD06N10-255L-T1-E3 |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | TO-252 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| HM4407 |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | SOP-8 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| CSD17578Q3A |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | QFN8(3X3) | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| FSA04N60A |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | TO-220F | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| 615N |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | SOP-8 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SI2308ADS-T1-GE3 |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | SOT-23-3 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NTGS4141NT1G |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | SOT-23-6 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| BSS84-7-F |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | SOT-23-3 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| FDS4141-NL |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | SOP-8 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| PA110BDA |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | TO-252 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| IRLR3105TRPBF |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | TO-252 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NCE30H10K |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | TO-252 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SI4825DDY-T1-E3 |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | SOP-8 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| FDS6694 |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | SOP-8 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| FDD5614P |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | TO-252 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| FDD4141 |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | TO-252 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| AO3401 |
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廣東佑風(fēng)微電子有限公司 | 1000 | YFW(佑風(fēng)微) | 3 | SOT-23-3L | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| APJ12N65D |
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深圳市安尚達(dá)科技有限公司 | 100000 | APM/永源微 | 5 | TO-252-3L | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| XPD150N50 |
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杭州聚力微科技有限公司 | 30 | XP/休普 | 2 | TO-252 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| MS12N100FT |
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深圳市麥思浦半導(dǎo)體有限公司 | 12027 | 國產(chǎn)品牌 | 950 | TO-220C | 場效應(yīng)管MOSFET-MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| MS8N100FT |
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深圳市麥思浦半導(dǎo)體有限公司 | 28812 | 國產(chǎn)品牌 | 950 | TO-220C | 場效應(yīng)管MOSFET-MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| MS8N120FT |
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深圳市麥思浦半導(dǎo)體有限公司 | 12764 | 國產(chǎn)品牌 | 950 | TO-220C | 場效應(yīng)管MOSFET-MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| AKG10N054PM |
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深圳市金力大電子有限公司 | 100 | 瑤芯微 | 5 | TO-220 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| DMTH10H025LPSQ |
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上海雷卯電子科技有限公司 | 10000 | LEIDITECH | 5 | DFN5x6-8L | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| DMN3028LQ |
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上海雷卯電子科技有限公司 | 10000 | LEIDITECH | 20 | SOT-23 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| 2N7002K |
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上海雷卯電子科技有限公司 | 10000 | LEIDITECH | 20 | SOT-23 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| 2N7002 |
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上海雷卯電子科技有限公司 | 10000 | LEIDITECH | 20 | SOT-23 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| AO3415A |
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深圳市友利創(chuàng)電子有限公司 | 100 | UMW廣東友臺半導(dǎo)體 | 5 | SOT-23(TO-236) | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| JSM15N65F |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | TO-220F | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| JSM5N50D |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | TO-252 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SVD4N60F |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | TO-220F | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SUP18N15-95 |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | TO-220-3 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| STP27N3LH5 |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | TO-220-3 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| TIP142 |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | TO-3 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |