| 型號 | 供應(yīng)商 | 庫存 | 品牌 | 單次最多申領(lǐng)數(shù)量（片） | 封裝工藝 | 元件分類 | 申領(lǐng) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI6562CDQ-T1-GE3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | TSSOP-8 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| Si4948BEY-T1-GE3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOP-8 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SI4850EY-T1-E3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOP8 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| Si4590DY-T1-GE3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOP-8 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SI4559ADY-T1-E3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOP8 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SI4463BDY-T1-E3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOP8 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SI4410BDY-T1-E3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOP8 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| Si4102DY-T1-GE3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOP-8 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SI3473DV-T1-E3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | TSOP-6 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SI3443BDV-T1-E3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | TSOP-6 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SI2305DS-T1-E3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-23 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SI1902DL-T1-GE3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SC-70-6 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SI1902DL-T1-E3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SC-70-6 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SI1902CDL-T1-GE3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SC-70-6 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| Si1867DL-T1-GE3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-363 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| Si1865DDL-T1-GE3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SC70-6 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SI1555DL-T1-GE3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SC70-6 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| Si1424EDH-T1-GE3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SC70-6 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SI1304DL-T1-GE3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-323 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SI1302DL-T1-GE3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-323 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SI1300DL-T1-GE3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-323 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| Si1079X-T1-GE3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-563 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| Si1078X-T1-GE3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-563 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| Si1077X-T1-GE3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-563 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SI1070X-T1-GE3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-563 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SI1062X-T1-GE3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-523 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SI1046R-T1-GE3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT523 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| Si1036X-T1-GE3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-563 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| Si1034CX-T1-GE3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-563 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SI1032R-T1-GE3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT523 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SI1031R-T1-GE3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT523 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SI1029X-T1-GE3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-563 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| Si1026X-T1-GE3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-563 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SI1024X-T1-GE3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-563 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SI1023X-T1-GE3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-563 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SI1022R-T1-GE3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT523 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| Si1016CX-T1-GE3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-563 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SI1013R-T1-GE3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT523 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SI1012R-T1-GE3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT523 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SI1012CR-T1-GE3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT523 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SBCP53-10T1G |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223-4 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| RZM002P02 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-723 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| RUM002N02T2L |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-723 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| RUM001L02T2CL |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-723 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| RTR040N03TL |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-23-3 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| RTR030N05TL |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-23-3 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| RTR025P02TL |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-23-3 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| RTR025N03TL |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-23-3 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| RTR020N05TL |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-23-3 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| RTQ045N03TR |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-23-3 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
深圳市宏捷佳電子科技有限公司
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