| 型號(hào) | 供應(yīng)商 | 庫存 | 品牌 | 單次最多申領(lǐng)數(shù)量（片） | 封裝工藝 | 元件分類 | 申領(lǐng) | |
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| SIA425EDJ-T1-GE3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN2X2 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SIA419DJ-T1-GE3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN2X2 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SIA418DJ-T1-GE3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN2X2 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SIA415DJ-T1-GE3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN2X2 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SIA414DJ-T1-GE3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN2X2 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SIA413ADJ-T1-GE3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN2X2 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN2X2 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN2X2 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN2X2 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN2x2-6 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN2x2-6 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN2X2 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SIA110DJ-T1-GE3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN2X2 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN2X2 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOP8 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOP8 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOP-8 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| Si9407BDY-T1-E3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOP-8 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN5060L-8 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN5060L-8 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN5060L-8 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN5X6 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN5060L-8 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SI7884BDP-T1-E3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN5060L-8 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SI7880ADP-T1-E3 |
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| SI7850DP-T1-E3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN5060L-8 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SI7848BDP-T1-E3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN5060L-8 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SI7846DP-T1-E3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN5060L-8 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SI7844DP-T1-E3 |
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| SI7540DP-T1-E3 |
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| SI7478DP-T1-E3 |
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| SI7469DP-T1-E3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN5060L-8 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN5060L-8 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN5060L-8 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SI7456DP-T1-E3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN5060L-8 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN5060L-8 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SI7450DP-T1-E3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN5060L-8 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN5060L-8 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SI7431DP-T1-E3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN5060L-8 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SI7430DP-T1-E3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN5060L-8 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN3X3 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN5060L-8 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SI7370DP-T1-E3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN5060L-8 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SI6968BEDQ-T1-GE3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | TSSOP-8 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SI6968BEDQ-T1-E3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | TSSOP-8 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SI6926ADQ-T1-GE3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | TSSOP-8 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SI6913DQ-T1-GE3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | TSSOP-8 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
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