深圳市宏捷佳電子科技有限公司
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| SUB60N06-18 |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | TO-263 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NTD32N06LT4G |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | TO-252 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| HUF75639P3 |
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| AO4007 |
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| 14N05L |
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| ME4936 |
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| FDS6680A-NL |
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| ELM33400CA |
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| SI2305BDS-T1-GE3 |
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| BSS159N |
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| N6068L |
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| HUF75339P3 |
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| SI9926DY-T1-E3 |
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| AON6234 |
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| HUF75332P3 |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | TO-220-3 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| FQD19N10 |
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| IRLR7807ZTRPBF |
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| NTJD5121NT2G |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | SC70-6 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| BSH201 |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | SOT-23-3 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SSD9971 |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | TO-252 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| AOD421 |
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| IPD90N06S4-05 |
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| STM9435 |
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| IPB80N06S2L-07 |
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| HUF75229P3 |
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| 20N06 |
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| NTD3055L170-1G |
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| AO4450 |
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