| 型號(hào) | 供應(yīng)商 | 庫(kù)存 | 品牌 | 單次最多申領(lǐng)數(shù)量（片） | 封裝工藝 | 元件分類 | 申領(lǐng) | |
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| BSC0702LSATMA1 |
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| BSC060P03NS3E G |
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| BSC052N03LS |
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| BSC050NE2LS |
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| BSC050N03LS G |
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| BSC0504NSI |
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| BSC0503NSI |
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| BSC0502NSI |
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| BSC0501NSI |
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| BSC047N08NS3 G |
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| BSC042N03MS G |
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| BSC042N03LS G |
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| BSC040N08NS5 |
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| BSC039N06NS |
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| BSC035N10NS5 |
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| BSC034N06NS |
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| BSC034N03LS G |
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| BSC032NE2LS |
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| BSC031N06NS3 G |
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| BSC030P03NS3 G |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN5X6 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| BSC030N08NS5 |
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| BSC030N03MS G |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN5X6 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| BSC030N03LS G |
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| BSC028N06LS3 G |
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| BSC027N06LS5 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN5X6 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| BSC026N08NS5 |
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| BSC025N03MS G |
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| BSC024NE2LS |
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| BSC020N03MS G |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN5X6 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| BSC020N03LS G |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN5X6 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| BSC016N06NS |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN5X6 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| BSC014N04LSI |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN5060-8 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| BFN19H6327 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT89 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| BFN18H6327 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT89 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| BFN18E6327 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT89 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| BFN 19 E6327 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT89 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| BCX6925TA |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT89 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| BCX6825TA |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT89 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
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