深圳市宏捷佳電子科技有限公司
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| FDV303N-NL-VB |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 16500 | YS/優(yōu)尚 | 20 | SOT-23 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| FDV302P |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 16500 | YS/優(yōu)尚 | 20 | SOT-23 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| FDS6676AS-NL-VB |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 16500 | YS/優(yōu)尚 | 20 | SO-8 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| PDTC114EU,115 |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 16500 | YS/優(yōu)尚 | 20 | SC-70 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| DMG3415UQ-7 |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 16500 | YS/優(yōu)尚 | 20 | SOT-23 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| DMG3407SSN-7 |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 16500 | YS/優(yōu)尚 | 20 | SC-59 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| BSH205G2R |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 16500 | YS/優(yōu)尚 | 20 | SOT-23 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| BSH203,215 |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 16500 | YS/優(yōu)尚 | 20 | SOT-23 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| BSH202,215 |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 16500 | YS/優(yōu)尚 | 20 | SOT-23 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| BSH111BKR |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 16500 | YS/優(yōu)尚 | 20 | SOT-23 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| BSH108 |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 16500 | YS/優(yōu)尚 | 20 | SOT-23 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| BSH105,215 |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 16500 | YS/優(yōu)尚 | 20 | SOT-23 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| BSH103,215 |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 16500 | YS/優(yōu)尚 | 20 | SOT-23 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| BSD840NH6327 |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 16500 | YS/優(yōu)尚 | 20 | SC-70-6(SOT-363) | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| BSN20BKR |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 16500 | YS/優(yōu)尚 | 20 | SOT-23 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| BSS127S-7 |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 16500 | YS/優(yōu)尚 | 20 | SOT-23 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| BSS308PEH6327 |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 16500 | YS/優(yōu)尚 | 20 | SOT-23 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| BSS314PEH6327 |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 16500 | YS/優(yōu)尚 | 20 | SOT-23 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| BSS84AK,215 |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 17600 | YS/優(yōu)尚 | 20 | SOT-23 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| BSS87 |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 17600 | YS/優(yōu)尚 | 20 | SOT-89 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| BST82 |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 17600 | YS/優(yōu)尚 | 20 | SOT-23 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| DMN61D8LQ-7 |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 17600 | YS/優(yōu)尚 | 20 | SOT-23 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| DMP4065SQ-7 |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 17600 | YS/優(yōu)尚 | 20 | SOT-23 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| PMV28UNEAR |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 17600 | YS/優(yōu)尚 | 20 | SOT-23 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| DMN2024U-7 |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 17600 | YS/優(yōu)尚 | 20 | SOT-23 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| DMN2058U-7 |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 16500 | YS/優(yōu)尚 | 20 | SOT-23 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NDS331N |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 16500 | YS/優(yōu)尚 | 20 | SOT-23 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| FDN337N |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 16500 | YS/優(yōu)尚 | 20 | SOT-23-3 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| FDN335N |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 16500 | YS/優(yōu)尚 | 20 | SOT-23-3 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| CJ3407 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-23 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| CJ3406 |
|
深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-23 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| CJ3404 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-23 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| CJ3402 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-23 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| CJ3400 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-23 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| CJ2306 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-23 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| CJ2304 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-23 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| YJL3401A |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-23 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| YJL3400A |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-23 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| YJL07P03AL |
|
深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-23-3L | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| YJL03N06A |
|
深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-23 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SBCP56-16T1G |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SBCP53-16T1G |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NDS7002A |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-23 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NDS356AP |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-23 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NDS355N |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-23 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NDS355AN |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-23 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NDS352AP |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-23 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NDS351AN |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-23 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NDS332P |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-23 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NDS331N |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-23 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |