深圳市宏捷佳電子科技有限公司
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| 型號(hào) | 供應(yīng)商 | 庫存 | 品牌 | 單次最多申領(lǐng)數(shù)量(片) | 封裝工藝 | 元件分類 | 申領(lǐng) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| S2N7002ET7G |
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上海雷卯電子科技有限公司 | 10000 | LEIDITECH | 20 | SOT-23 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| LM3400 |
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上海雷卯電子科技有限公司 | 10000 | LEIDITECH | 20 | SOT-23 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| 2N7002NT |
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上海雷卯電子科技有限公司 | 10000 | LEIDITECH | 20 | SOT-523 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| 2N7002KT |
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上海雷卯電子科技有限公司 | 10000 | LEIDITECH | 20 | SOT-523 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SE3401 |
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上海雷卯電子科技有限公司 | 10000 | LEIDITECH | 20 | SOT-23 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NCE2303/NCE新潔能 |
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深圳市安尚達(dá)科技有限公司 | 100000 | NCE新潔能 | 6 | SOT-23 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NCE4060K/NCE新潔能 |
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深圳市安尚達(dá)科技有限公司 | 100000 | NCE新潔能 | 6 | TO-252-2(DPAK) | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| BSS138 |
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深圳市友利創(chuàng)電子有限公司 | 100 | UMW廣東友臺(tái)半導(dǎo)體 | 5 | SOT-23(TO-236) | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SI2323DS |
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深圳市友利創(chuàng)電子有限公司 | 100 | UMW廣東友臺(tái)半導(dǎo)體 | 5 | SOT-23(TO-236) | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| AO3416A |
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深圳市友利創(chuàng)電子有限公司 | 100 | UMW廣東友臺(tái)半導(dǎo)體 | 5 | SOT-23(TO-236) | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| HRH4N65AFT/華瑞微原廠 |
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深圳市安尚達(dá)科技有限公司 | 100000 | 華瑞微 | 5 | TO-220F | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| FDN304P |
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深圳市友利創(chuàng)電子有限公司 | 100 | UMW廣東友臺(tái)半導(dǎo)體 | 5 | SOT-23(TO-236) | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| AO3422A |
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深圳市友利創(chuàng)電子有限公司 | 100 | UMW廣東友臺(tái)半導(dǎo)體 | 5 | SOT-23(TO-236) | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| 2PC4617S |
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深圳市海虹微電子有限公司 | 3333 | Nexperia(安世) | 10 | SOT523 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| 2N7002-L-R1 |
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深圳市海虹微電子有限公司 | 3333 | PANJIT | 10 | SOT23 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| 2N7002K/K72 |
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深圳市海虹微電子有限公司 | 3333 | PANJIT | 10 | SOT23 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| 2N7002 |
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深圳市海虹微電子有限公司 | 3333 | Nexperia(安世) | 10 | SOT23 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| FDN304P |
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深圳市友利創(chuàng)電子有限公司 | 100 | UMW廣東友臺(tái)半導(dǎo)體 | 5 | SOT-23(TO-236) | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| JSM120N03DN |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | DFN5X6 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| JSM30N06DN |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | TDSON-8 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| JSM40N06DN |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | DFN5X6 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| JSM9N20D |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | TO-252-2(DPAK) | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| JSM10N50D |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | TO-252-2(DPAK) | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| JSM130DN04N |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | PDFNWB5X6-8L | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| JSM4N90RG |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | TO-263 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| JSM5N80D |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | TO-252 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| JSM50N20P |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | TO-247 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| JSM90N20P |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | TO-247 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| JSM40N20P |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | TO-247 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| JSM80N10DN56 |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | DFN5060-8L | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| JSM10N80P |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | TO-247 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| JSM8N80F |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | TO-220F | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| JSM8N60F |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | TO-220F | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| JSM80N80C |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | TO-220-3 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| JSM7N65C |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | TO-220-3 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| JSM75N75F |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | TO-220F | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| JSM6N80F |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | TO-220F | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| JSM6N80C |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | TO-220-3 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| JSM60N10C |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | TO-220-3 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| JSM60N03C |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | TO-220-3 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| JSM5N60F |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | TO-220F | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| JSM50N20C |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | TO-220-3 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| JSM45N03C |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | TO-220-3 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| JSM40N20C |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | TO-220-3 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| JSM2N65F |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | TO-220F | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| JSM2N60F |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | TO-220F | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| JSM20N06C |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | TO-220-3 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| JSM200N04C |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | TO-220-3 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| JSM16P10PG |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | TO-220-3 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| JSM1404 |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | TO-220-3 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |