深圳市宏捷佳電子科技有限公司
HC5050SARGBW4C-W601 BHUFGDRHYNK
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| 型號 | 供應商 | 庫存 | 品牌 | 單次最多申領數(shù)量(片) | 封裝工藝 | 元件分類 | 申領 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| UF5406 |
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深圳市新億利電子有限公司 | 999999 | SZXYL | 10 | 焊接 | 二極管 | 掃碼申領 |
| 1N5406 |
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深圳市新億利電子有限公司 | 999999 | SZXYL | 10 | 焊接 | 二極管 | 掃碼申領 |
| UF5406 |
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深圳市新億利電子有限公司 | 999999 | SZXYL/新億利 | 5 | 焊接 | 二極管 | 掃碼申領 |
| 1N5406 |
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深圳市新億利電子有限公司 | 999999 | SZXYL/新億利 | 5 | 焊接 | 二極管 | 掃碼申領 |
| UF5406G |
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深圳深鵬科技有限公司 | 999999 | FLM | 10 | DO-201AD DO-27 | 二極管 | 掃碼申領 |
| UF5406 |
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深圳深鵬科技有限公司 | 999999 | FLM | 10 | DO-201AD DO-27 | 二極管 | 掃碼申領 |
| STD5406NT4G-VF01 |
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深圳市南科功率半導體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | TO-252 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
| STD5406NT4G |
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深圳市南科功率半導體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | TO-252 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
| IRFH5406TRPBF |
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深圳市南科功率半導體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN5060*8 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
| 1N5406G |
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深圳深鵬科技有限公司 | 999999 | FLM | 10 | DO-201AD DO-27 | 二極管 | 掃碼申領 |
| 1N5406 |
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深圳深鵬科技有限公司 | 999999 | FLM | 10 | DO-201AD DO-27 | 二極管 | 掃碼申領 |
| UF5406 |
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深圳冠榮電子有限公司 | 300000 | SUNMATE森美特 | 10 | DO-27 | 二極管 | 掃碼申領 |
| 1N5406 |
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深圳冠榮電子有限公司 | 300000 | SUNMATE森美特 | 10 | DO-27 | 二極管 | 掃碼申領 |
| NTD5406NT4G |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMICRO/深圳杰盛微 | 5 | TO252 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
| NTD5406NG |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMICRO/深圳杰盛微 | 5 | TO252 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
| NTD5406NG |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | TO-252 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
| NTD5406NT4G |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | TO-252 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |