深圳市宏捷佳電子科技有限公司
HC5050SARGBW4C-W601 BHUFGDRHYNK
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| 型號 | 供應(yīng)商 | 庫存 | 品牌 | 單次最多申領(lǐng)數(shù)量(片) | 封裝工藝 | 元件分類 | 申領(lǐng) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MTD1302T4 |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMICRO/深圳杰盛微 | 5 | TO252 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| 2STD1360T4 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | TO-252 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| KTD1302 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-89 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| STD134N4F7AG |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | TO-252 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| STD130N6F7 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | TO-252 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| STD130N4F6AG |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | TO-252 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| MTD1302T4G |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | TO-252 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| MTD1302T4 |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | TO-252 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| KTD1304-RTK/P |
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深圳市海虹微電子有限公司 | 1000 | KEC | 10 | 23 | 集成電路(IC) | 掃碼申領(lǐng) |
| MTD1302T4G |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMICRO/深圳杰盛微 | 5 | TO252 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |