| 型號 | 供應(yīng)商 | 庫存 | 品牌 | 單次最多申領(lǐng)數(shù)量（片） | 封裝工藝 | 元件分類 | 申領(lǐng) | |
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| BSC016N06NS |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN5X6 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| BSC014N04LSI |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN5060-8 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| ISC019N03L5S |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN5X6 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| DSC010-TB |
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深圳市海虹微電子有限公司 | 1000 | SANYO | 10 | 23 | 集成電路(IC) | 掃碼申領(lǐng) |
| SC017-4-TE12RA |
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深圳市海虹微電子有限公司 | 1000 | FUJI | 10 | 彎腳 | 集成電路(IC) | 掃碼申領(lǐng) |
| BSC019N04NS |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | DFN5060-8L | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| BSC011N03LS |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMICRO/深圳杰盛微 | 5 | DFN8(5X6) | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| BSC016N06NS |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | TDSON-8 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| BSC018N04LSGATMA1 |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | TDSON-8(5x6) | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| BSC011N03LS |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | DFN5060-8L | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| BSC019N04NS |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMICRO/深圳杰盛微 | 5 | QFN8(5X6) | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
深圳市宏捷佳電子科技有限公司
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