| 型號 | 供應商 | 庫存 | 品牌 | 單次最多申領(lǐng)數(shù)量（片） | 封裝工藝 | 元件分類 | 申領(lǐng) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFH5306TRPBF |
 |
深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMICRO/深圳杰盛微 | 5 | QFN8(5X6) | 場效應管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| TPCA8025 |
|
深圳市海虹微電子有限公司 | 1000 | TOSHIBA | 10 | QFN8 | 集成電路(IC) | 掃碼申領(lǐng) |
| CSD17578Q3A |
|
深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | QFN8(3X3) | 場效應管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| PDC3960X |
|
深圳市深創(chuàng)輝科技有限公司 | 20 | QFN8 | 10 | POTENS | 集成電路(IC) | 掃碼申領(lǐng) |
| TPCC8064-H |
|
深圳市海虹微電子有限公司 | 1000 | TOSHIBA | 10 | QFN8 | 集成電路(IC) | 掃碼申領(lǐng) |
| TPCC8008 |
|
深圳市海虹微電子有限公司 | 1000 | TOSHIBA | 10 | QFN8 | 集成電路(IC) | 掃碼申領(lǐng) |
| IRFHM9331TR2PBF |
|
深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | QFN8(3X3) | 場效應管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| AON7426 |
|
深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | QFN8(3X3) | 場效應管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| AON7502 |
|
深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | QFN8(3X3) | 場效應管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| AON7410 |
|
深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | QFN8(3X3) | 場效應管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| AON7200 |
|
深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | QFN8(3X3) | 場效應管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| BSZ120P03NS3 |
|
深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | QFN8(3X3) | 場效應管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SSPS7333P |
|
深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | QFN8(3X3) | 場效應管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| FDMA1024NZ |
|
深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | QFN8(3X3) | 場效應管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| AON2801 |
|
深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | QFN8(3X3) | 場效應管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| AON7404 |
|
深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | QFN8(3X3) | 場效應管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| QM3106M3 |
|
深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | QFN8(3X3) | 場效應管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SIS414DN-T1-GE3 |
|
深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | QFN8(3X3) | 場效應管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| AON7408 |
|
深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | QFN8(3X3) | 場效應管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SIS780DN-T1-GE3 |
|
深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | QFN8(3X3) | 場效應管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| FDMA3023PZ |
|
深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | QFN8(3X3) | 場效應管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SIS438DN-T1-GE3 |
|
深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | QFN8(3X3) | 場效應管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NTTFS4928NTWG |
|
深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | QFN8(3X3) | 場效應管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SIS412DN |
|
深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | QFN8(3X3) | 場效應管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SM3425NHQA |
|
深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | QFN8(3X3) | 場效應管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| AON7520 |
|
深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | QFN8(3X3) | 場效應管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| IRLHS6276TRPBF |
|
深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | QFN8(3X3) | 場效應管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SM3326NHQA |
|
深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | QFN8(3X3) | 場效應管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| IRFHS9351TRPBF |
|
深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | QFN8(3X3) | 場效應管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SIS424DN |
|
深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | QFN8(3X3) | 場效應管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SM3380EHQG |
|
深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | QFN8(3X3) | 場效應管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SI7114DN |
|
深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | QFN8(3X3) | 場效應管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SI7716ADN-T1-GE3 |
|
深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | QFN8(3X3) | 場效應管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| FDMC7678 |
|
深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | QFN8(3X3) | 場效應管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| AON2800 |
|
深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | QFN8(3X3) | 場效應管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| FDMC8026S |
|
深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | QFN8(3X3) | 場效應管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| IRLHS6276TR2PBF |
|
深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | QFN8(3X3) | 場效應管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NTLJD4116NT1G |
|
深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | QFN8(3X3) | 場效應管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| BSZ130N03LSG |
|
深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | QFN8(3X3) | 場效應管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| AON7402 |
|
深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | QFN8(3X3) | 場效應管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NTTFS4930NTWG |
|
深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | QFN8(3X3) | 場效應管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SM6012NSQG |
|
深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | QFN8(3X3) | 場效應管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SIS412DN-T1-GE3 |
|
深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | QFN8(3X3) | 場效應管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SM3319NSQG |
|
深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | QFN8(3X3) | 場效應管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SiA906EDJ-T1-GE3 |
|
深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | QFN8(3X3) | 場效應管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| AON7422E |
|
深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | QFN8(3X3) | 場效應管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| AON7516 |
|
深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | QFN8(3X3) | 場效應管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SI7617DN |
|
深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | QFN8(3X3) | 場效應管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| RU30L30M |
|
深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | QFN8(3X3) | 場效應管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| IRFH3702TRPBF |
|
深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | QFN8(3X3) | 場效應管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
深圳市宏捷佳電子科技有限公司
HC5050SARGBW4C-W601 BHUFGDRHYNK
微信掃碼立即申領(lǐng)元件
聯(lián)系人：
聯(lián)系方式：
