深圳市宏捷佳電子科技有限公司
HC5050SARGBW4C-W601 BHUFGDRHYNK
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| 型號 | 供應(yīng)商 | 庫存 | 品牌 | 單次最多申領(lǐng)數(shù)量(片) | 封裝工藝 | 元件分類 | 申領(lǐng) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NVR5124PLT1G |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 85000 | YS/優(yōu)尚 | 20 | SOT-23 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NTR0202PLT1G |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 18500 | YS/優(yōu)尚 | 20 | SOT-23 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NTTFS5116PLTWG |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN3333-8 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NVD5117PLT4G-VF01 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | TO-252 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NVD5117PLT4G |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | TO-252 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NVTFS5116PLTAG |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN3.3X3 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NTR0202PLT1G |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-23 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NVR5124PLT1G |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 3175 | YS/優(yōu)尚 | 20 | SOT-23 | 場效應(yīng)管MOSFET-MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NVR5124PLT1G |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 9000 | YS/優(yōu)尚 | 20 | SOT-23 | 場效應(yīng)管MOSFET-MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NVTFS5116PLTWG |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN3333-8 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NVTFS5124PLTAG |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN3.3.3.3-8 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NVR5124PLT1G |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-23 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NTTFS5116PLTAG |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN3X3 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NTR0202PLT1G |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | SOT-23-3 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| TPD1E0B04DPLT |
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上海雷卯電子科技有限公司 | 10000 | LEIDITECH | 20 | DFN0603 | 二極管 | 掃碼申領(lǐng) |
| TPD1E6B06DPLT |
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上海雷卯電子科技有限公司 | 10000 | LEIDITECH | 20 | DFN0603 | 二極管 | 掃碼申領(lǐng) |
| NTR0202PLT1G |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMICRO/深圳杰盛微 | 5 | SOT23-3 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| L8550HPLT1G |
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深圳市世紀成達電子科技有限公司 | 300000 | LRC/樂山 | 10 | SOT-23 | 三極管 | 掃碼申領(lǐng) |