深圳市宏捷佳電子科技有限公司
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| FDG6324L |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 45000 | ONSEMI/安森美 | 20 | SC70-6 | 開(kāi)關(guān) | 掃碼申領(lǐng) |
| FDT461N |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 45000 | ONSEMI/安森美 | 20 | SOT-223 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| FDT3612 |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 45000 | ONSEMI/安森美 | 20 | SOT-223 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 45000 | ONSEMI/安森美 | 20 | SOT323 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 45000 | ONSEMI/安森美 | 20 | SOT363 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| FDG6323L |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 45000 | ONSEMI/安森美 | 20 | SC70-6 | 開(kāi)關(guān) | 掃碼申領(lǐng) |
| FDG6331L |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 45000 | ONSEMI/安森美 | 20 | SC70-6 | 開(kāi)關(guān) | 掃碼申領(lǐng) |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 45000 | ONSEMI/安森美 | 20 | SOT-223 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 45000 | ONSEMI/安森美 | 20 | SOT-223 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 45000 | ONSEMI/安森美 | 20 | SOT-223 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 45000 | ONSEMI/安森美 | 20 | SOT-223 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 45000 | ONSEMI/安森美 | 20 | SOT-223 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 45000 | ONSEMI/安森美 | 20 | SOT-223 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| FDT1600N10ALZ |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 45000 | ONSEMI/安森美 | 20 | SOT-223 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| FDT3N40TF |
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| FDT434P |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 45000 | ONSEMI/安森美 | 20 | SOT-223 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| FDT55AN06LA0 |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 45000 | ONSEMI/安森美 | 20 | SOT-223 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| FDT86244 |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 45000 | ONSEMI/安森美 | 20 | SOT-223 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NSR1020MW2T1G |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 45000 | ONSEMI/安森美 | 20 | SOD-323 | 三極管 | 掃碼申領(lǐng) |
| BAT54HT1G |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 45000 | ONSEMI/安森美 | 20 | SOD-323 | 二極管 | 掃碼申領(lǐng) |
| CPH3461-TL-W |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 45000 | ONSEMI/安森美 | 20 | SOT-23 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| BCW66GLT1G |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 45000 | ONSEMI/安森美 | 20 | SOT-23 | 三極管 | 掃碼申領(lǐng) |
| KSA812YMTF |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 45000 | ONSEMI/安森美 | 20 | SOT-23 | 三極管 | 掃碼申領(lǐng) |
| NSR02100HT1G |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 45000 | ONSEMI/安森美 | 20 | SOD-323 | 二極管 | 掃碼申領(lǐng) |
| NTS260ESFT1G |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 45000 | ONSEMI/安森美 | 20 | SOD123F | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NRVTS260ESFT1G |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 45000 | ONSEMI/安森美 | 20 | SOD123F | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NCP718BSN330T1G |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 45000 | ONSEMI/安森美 | 20 | SOT23-5 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 45000 | ONSEMI/安森美 | 20 | SOT323 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SESDONCAN1LT1G |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 45000 | ONSEMI/安森美 | 20 | SOT-23 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| ESDONCAN1LT1G |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 45000 | ONSEMI/安森美 | 20 | SOT-23 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 45000 | ONSEMI/安森美 | 20 | SOD523 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| FJT44KTF |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 45000 | ONSEMI/安森美 | 20 | SOT-223 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SZNUP1105LT1G |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 45000 | ONSEMI/安森美 | 20 | SOT-23 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NUP1105LT1G |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 45000 | ONSEMI/安森美 | 20 | SOT-23 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NSR0240V2T1G |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 45000 | ONSEMI/安森美 | 20 | SOD523 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NSVR0240V2T1G |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 45000 | ONSEMI/安森美 | 20 | SOD523 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| FDY4000CZ |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 45000 | ONSEMI/安森美 | 20 | SOT-563 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| FDC3535 |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 45000 | ONSEMI/安森美 | 20 | SOT23-6 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SB05-05C-TB-E |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 45000 | ONSEMI/安森美 | 20 | SOT-23 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| FDC658AP |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 45000 | ONSEMI/安森美 | 20 | SOT23-6 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SZMM3Z43VT1G |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 45000 | ONSEMI/安森美 | 20 | SOD323 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 45000 | ONSEMI/安森美 | 20 | SOD123 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NVTA7002NT1G |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 45000 | ONSEMI/安森美 | 20 | SC-75-3 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| BC81840MTF |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 45000 | ONSEMI/安森美 | 20 | SOT-23 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| BC81725MTF |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 45000 | ONSEMI/安森美 | 20 | SOT-23 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| FDY3000NZ |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 45000 | ONSEMI/安森美 | 20 | SOT-563 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| ESD3.3V52D-C |
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深圳市海虹微電子有限公司 | 1000 | UNSEMI | 10 | SOD523 | 集成電路(IC) | 掃碼申領(lǐng) |
| SMF5.0CA |
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深圳市深創(chuàng)輝科技有限公司 | 10 | FUXINSEMI(富芯森美) | 10 | SOD123 | 集成電路(IC) | 掃碼申領(lǐng) |
| LL4148 |
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深圳市深創(chuàng)輝科技有限公司 | 10 | ONSEMI | 10 | N/A | 集成電路(IC) | 掃碼申領(lǐng) |