| 型號(hào) | 供應(yīng)商 | 庫存 | 品牌 | 單次最多申領(lǐng)數(shù)量（片） | 封裝工藝 | 元件分類 | 申領(lǐng) | |
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| NDS332P |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 85000 | YS/優(yōu)尚 | 20 | SOT-23-3 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NDS331N |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 85000 | YS/優(yōu)尚 | 20 | SOT-23 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NDS356AP |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMICRO/深圳杰盛微 | 5 | SOT23-3 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NDS352AP |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMICRO/深圳杰盛微 | 5 | SOT23-3 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NDS336P |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMICRO/深圳杰盛微 | 5 | SOT23-3 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NDS332P |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMICRO/深圳杰盛微 | 5 | SOT23-3 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NDS331N-NL |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMICRO/深圳杰盛微 | 5 | SOT23-3 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NDS352AP |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 16500 | YS/優(yōu)尚 | 20 | SuperSOT-7 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NDS351AN |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 16500 | YS/優(yōu)尚 | 20 | SOT-23-3 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NDS332P |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 18600 | YS/優(yōu)尚 | 20 | SOT-23-3 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET-MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NDS355AN |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 18600 | YS/優(yōu)尚 | 20 | SOT-23 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET-MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NDS331N |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 16500 | YS/優(yōu)尚 | 20 | SOT-23 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NDS356AP |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-23 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NDS355N |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-23 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NDS355AN |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-23 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NDS352AP |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-23 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NDS351AN |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-23 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NDS332P |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-23 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NDS331N |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-23 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NDS355AN |
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深圳市世紀(jì)成達(dá)電子科技有限公司 | 300000 | FAIRCHILD/仙童 | 10 | SOT-23 | 三極管 | 掃碼申領(lǐng) |
| NDS351AN-NL |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMICRO/深圳杰盛微 | 5 | SOT23-3 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NDS351AN-NL |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | SOT-23-3 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NDS356AP |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | SOT-23-3 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NDS352AP |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | SOT-23-3 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NDS336P |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | SOT-23-3 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NDS332P |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | SOT-23-3 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NDS331N-NL |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | SOT-23-3 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NDS332P |
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深圳市海虹微電子有限公司 | 1000 | FAIRCHILD | 10 | SOT23 | 集成電路(IC) | 掃碼申領(lǐng) |
| NDS331N |
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深圳市海虹微電子有限公司 | 1000 | FAIRCHILD | 10 | 23 | 集成電路(IC) | 掃碼申領(lǐng) |
| NDS355AN |
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深圳市海虹微電子有限公司 | 1000 | FAIRCHILD | 10 | 23 | 集成電路(IC) | 掃碼申領(lǐng) |
深圳市宏捷佳電子科技有限公司
HC5050SARGBW4C-W601 BHUFGDRHYNK
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