深圳市宏捷佳電子科技有限公司
HC5050SARGBW4C-W601 BHUFGDRHYNK
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| 型號(hào) | 供應(yīng)商 | 庫(kù)存 | 品牌 | 單次最多申領(lǐng)數(shù)量(片) | 封裝工藝 | 元件分類 | 申領(lǐng) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SEN0502S2 |
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廣東星河微電子有限公司 | 9000 | Cnnpchip/新晶微 | 5 | SOT-23 | 二極管 | 掃碼申領(lǐng) |
| SEN0501D9 |
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廣東星河微電子有限公司 | 9000 | Cnnpchip/新晶微 | 5 | SOD-923 | 二極管 | 掃碼申領(lǐng) |
| SEN0501D5 |
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廣東星河微電子有限公司 | 9000 | Cnnpchip/新晶微 | 5 | SOD-523 | 二極管 | 掃碼申領(lǐng) |
| SEN0501P1 |
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廣東星河微電子有限公司 | 9000 | Cnnpchip/新晶微 | 5 | DFN1006-2L | 二極管 | 掃碼申領(lǐng) |
| SEN0501P0 |
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廣東星河微電子有限公司 | 9000 | Cnnpchip/新晶微 | 5 | DFN0603-2L | 二極管 | 掃碼申領(lǐng) |
| SEN0501D3 |
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廣東星河微電子有限公司 | 9000 | Cnnpchip/新晶微 | 5 | SOD-323 | 二極管 | 掃碼申領(lǐng) |
| IAUZ40N06S5N050 |
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上海雷卯電子科技有限公司 | 10000 | LEIDITECH | 5 | DFN3.3X3.3 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| RDN050N20 |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | TO-220F | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| RDN050N20 |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMICRO/深圳杰盛微 | 5 | TO220F | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |