深圳市宏捷佳電子科技有限公司
HC5050SARGBW4C-W601 BHUFGDRHYNK
微信掃碼立即申領(lǐng)元件
| 型號 | 供應(yīng)商 | 庫存 | 品牌 | 單次最多申領(lǐng)數(shù)量(片) | 封裝工藝 | 元件分類 | 申領(lǐng) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TLV1117LV33DCYT |
|
深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| TLV1117LV33DCYR |
|
深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| TLV1117LV30DCYT |
|
深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| TLV1117LV30DCYR |
|
深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| TLV1117LV28DCYT |
|
深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| TLV1117LV28DCYR |
|
深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| TLV1117LV25DCYT |
|
深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| TLV1117LV25DCYR |
|
深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| TLV1117LV18DCYT |
|
深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| TLV1117LV18DCYR |
|
深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| TLV1117LV15DCYT |
|
深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| TLV1117LV15DCYR |
|
深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| TLV1117LV12DCYT |
|
深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| TLV1117LV12DCYR |
|
深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| TLV1117IDCYRG3 |
|
深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| TLV1117IDCYR |
|
深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| TLV1117IDCYG3 |
|
深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| TLV1117IDCY |
|
深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| TLV1117CDCYRG3 |
|
深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| TLV1117CDCYR |
|
深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| TLV1117CDCYG3 |
|
深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| TLV1117CDCY |
|
深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| TLV1117-50IDCYRG3 |
|
深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| TLV1117-50IDCYR |
|
深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| TLV1117-50IDCY |
|
深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| TLV1117-50CDCYRG3 |
|
深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| TLV1117-50CDCYR |
|
深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| TLV1117-50CDCYG3 |
|
深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| TLV1117-50CDCY |
|
深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| TLV1117-33IDCYRG3 |
|
深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| TLV1117-33IDCYR |
|
深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| TLV1117-33IDCYG3 |
|
深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| TLV1117-33IDCY |
|
深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| TLV1117-33CDCYRG3 |
|
深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| TLV1117-33CDCYR |
|
深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| TLV1117-33CDCYG3 |
|
深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| TLV1117-33CDCY |
|
深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| TLV1117-25IDCYR |
|
深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| TLV1117-25IDCY |
|
深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| TLV1117-25CDCYRG3 |
|
深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| TLV1117-25CDCYR |
|
深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| TLV1117-25CDCY |
|
深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| TLV1117-18IDCYRG3 |
|
深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| TLV1117-18IDCYR |
|
深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| TLV1117-18IDCYG3 |
|
深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| TLV1117-18IDCY |
|
深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| TLV1117-18CDCYRG3 |
|
深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| TLV1117-18CDCYR |
|
深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| TLV1117-18CDCYG3 |
|
深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| TLV1117-18CDCY |
|
深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |