| 型號(hào) | 供應(yīng)商 | 庫(kù)存 | 品牌 | 單次最多申領(lǐng)數(shù)量（片） | 封裝工藝 | 元件分類 | 申領(lǐng) | |
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| GRM2165C1H112JA01D |
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深圳市芯引力電子科技有限公司 | 999999 | muRata(村田) | 1 | 0805 1.1nF ±5% 50V C0G C0G GRM2165C1H112JA01D 貼片電容 現(xiàn)貨 可直拍 | 電容器 | 掃碼申領(lǐng) |
| GRM1885C1H112JA01D |
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深圳市芯引力電子科技有限公司 | 999999 | muRata(村田) | 1 | 0603 1.1nF ±5% 50V C0G GRM1885C1H112JA01D 貼片電容(MLCC) 現(xiàn)貨 可直拍 | 電容器 | 掃碼申領(lǐng) |
| GCM1885G1H112FA16D |
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深圳市芯引力電子科技有限公司 | 999999 | muRata(村田) | 1 | 0603 1.1nF ±1% 50V X8G GCM1885G1H112FA16D 貼片電容(MLCC) 現(xiàn)貨 可直拍 | 電容器 | 掃碼申領(lǐng) |
| KSH112TM |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | TO-252 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| KSH112TF |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | TO-252 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| GRM1885C1H112JA01D 0603 1.1nF ±5% 50V C0G muRata(村田) F2貼片電容(MLCC) |
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深圳市芯引力電子科技有限公司 | 999999 | muRata(村田) | 1 | 0603 1.1nF ±5% 50V C0G | 電容器 | 掃碼申領(lǐng) |
深圳市宏捷佳電子科技有限公司
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