深圳市宏捷佳電子科技有限公司
HC5050SARGBW4C-W601 BHUFGDRHYNK
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| 型號 | 供應商 | 庫存 | 品牌 | 單次最多申領數(shù)量(片) | 封裝工藝 | 元件分類 | 申領 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| LP3443LT1G |
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深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司 | 50000 | YS/優(yōu)尚 | 20 | SOT-23E | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
| NTGS3443T1G |
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深圳市南科功率半導體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-23-6 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
| NVGS3443T1G |
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深圳市南科功率半導體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-23-6 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
| SI3443DV-T1-GE3 |
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深圳市南科功率半導體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | TSOP-6 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
| Si3443DDV-T1-GE3 |
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深圳市南科功率半導體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | TSOP-6 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
| Si3443CDV-T1-GE3 |
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深圳市南科功率半導體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | TSOP-6 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
| SI3443BDV-T1-GE3 |
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深圳市南科功率半導體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | TSOP-6 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
| NTGS3443T1G |
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深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司 | 18600 | YS/優(yōu)尚 | 20 | TSOP-6 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
| SI3443BDV-T1-E3 |
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深圳市南科功率半導體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | TSOP-6 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
| CJL3443 |
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深圳市南科功率半導體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-23-6L | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
| SI3443DDV-T1-GE3 |
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深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司 | 3000 | YS/優(yōu)尚 | 20 | TSOP-6-1.7mm | 場效應管MOSFET-MOSFET | 掃碼申領 |
| SI3443CDV-T1-GE3 |
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深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司 | 3000 | YS/優(yōu)尚 | 20 | TSOP-6-1.5mm | 場效應管MOSFET-MOSFET | 掃碼申領 |
| SI3443BDV-T1-GE3 |
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深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司 | 30000 | YS/優(yōu)尚 | 20 | TSOP-6-1.5mm | 場效應管MOSFET-MOSFET | 掃碼申領 |
| SI3443DV-T1-GE3-VB |
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深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司 | 30000 | YS/優(yōu)尚 | 20 | TSOP-6 | 場效應管MOSFET-MOSFET | 掃碼申領 |
| TSM3443CX6RF |
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深圳市海虹微電子有限公司 | 1000 | TSC | 10 | 163 | 集成電路(IC) | 掃碼申領 |
| SI3443DV-T1-GE3 |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | SOT-23-6 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
| NTGS3443T1G |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | SOT-23-6 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
| NTGS3443T1G |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMICRO/深圳杰盛微 | 5 | SOT23-6 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
| SI3443DV-T1-GE3 |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMICRO/深圳杰盛微 | 5 | SOT23-6 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |