深圳市宏捷佳電子科技有限公司
HC5050SARGBW4C-W601 BHUFGDRHYNK
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| 型號 | 供應商 | 庫存 | 品牌 | 單次最多申領(lǐng)數(shù)量(片) | 封裝工藝 | 元件分類 | 申領(lǐng) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ME6251C33M5G |
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深圳市恒佳盛電子有限公司 | 99999 | 微盟 | 20 | SOT-23-5 | 集成電路(IC) | 掃碼申領(lǐng) |
| NIF62514T1G |
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深圳市南科功率半導體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| FDMA86251 |
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深圳市南科功率半導體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN2020-6 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| GM6251-1.8ST89R |
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深圳市海虹微電子有限公司 | 1000 | GAMMA | 10 | 89 | 集成電路(IC) | 掃碼申領(lǐng) |
| NIF62514T3G |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | SOT-223 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NIF62514T1G |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | SOT-223 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NIF62514T3G |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMICRO/深圳杰盛微 | 5 | SOT223 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NIF62514T1G |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMICRO/深圳杰盛微 | 5 | SOT223 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |