深圳市宏捷佳電子科技有限公司
HC5050SARGBW4C-W601 BHUFGDRHYNK
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| 型號 | 供應(yīng)商 | 庫存 | 品牌 | 單次最多申領(lǐng)數(shù)量(片) | 封裝工藝 | 元件分類 | 申領(lǐng) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PET23235103 |
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廣東星河微電子有限公司 | 9000 | Cnnpchip/新晶微 | 5 | SOT-23 | 二極管 | 掃碼申領(lǐng) |
| PA2F7225103 |
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廣東星河微電子有限公司 | 9000 | Cnnpchip/新晶微 | 5 | DFN1410P2 | 二極管 | 掃碼申領(lǐng) |
| 2SC5103TLP |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | TO-252 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| IRLML5103TRPBF |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-23 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| PAN10115103 |
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廣東星河微電子有限公司 | 9000 | Cnnpchip/新晶微 | 5 | DFN2510-10L | 三極管 | 掃碼申領(lǐng) |
| IRLML5103TRPBF |
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深圳市世紀成達電子科技有限公司 | 300000 | IR | 10 | SOT-23 | 三極管 | 掃碼申領(lǐng) |
| LM-NTR5103NT1G |
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上海雷卯電子科技有限公司 | 10000 | LEIDITECH | 20 | SOT-23 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| P5103EMG |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMICRO/深圳杰盛微 | 5 | SOT-23 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| P5103EMG |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | SOT-23 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| MTP5103N3 |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 85000 | YS/優(yōu)尚 | 20 | SOT-23 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NTR5103NT1G |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 16500 | YS/優(yōu)尚 | 20 | SOT-23 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NTR5103NT1G |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-23 | 場效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |