| 型號(hào) | 供應(yīng)商 | 庫(kù)存 | 品牌 | 單次最多申領(lǐng)數(shù)量（片） | 封裝工藝 | 元件分類(lèi) | 申領(lǐng) | |
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| DRV5013ADELPGQ1 |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | TO-92 | 開(kāi)關(guān) | 掃碼申領(lǐng) |
| QM4013AD |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | TO-252 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| ME8113AD7G-B |
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深圳市恒佳盛電子有限公司 | 99999 | 微盟 | 20 | DIP-7 | 集成電路(IC) | 掃碼申領(lǐng) |
| ME8113AD7G-A |
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深圳市恒佳盛電子有限公司 | 99999 | 微盟 | 20 | DIP-7 | 集成電路(IC) | 掃碼申領(lǐng) |
| SIA413ADJ-T1-GE3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN2X2 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| QM4013AD |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMICRO/深圳杰盛微 | 5 | TO252 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SI7113ADN-T1-GE3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN3X3-8 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
深圳市宏捷佳電子科技有限公司
HC5050SARGBW4C-W601 BHUFGDRHYNK
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