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IXYP50N65C3

更新時間:2025-05-19 20:25:06

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深圳市誠研翔科技有限公司
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IXYP50N65C3 概述

IXYP50N65C3是IXYS公司生產的一款高壓MOSFET，具備出色的導通電阻和開關性能。該型號設計用于需要高電壓處理能力的應用場景，最大漏源電壓可達650V，連續(xù)漏極電流為27A（在特定條件下）。它采用了TO-247封裝形式，便于散熱管理和安裝。此款MOSFET廣泛應用于開關電源、不間斷電源（UPS）、電機驅動以及感應加熱設備等領域。其快速的開關速度和低柵極電荷使得它非常適合高頻應用場合，有助于提高系統效率并減少能量損耗。在實際應用中，需注意控制柵極驅動電壓，確保在規(guī)定范圍內操作以避免器件損壞。此外，在進行PCB布局時應盡量縮短源極引線長度以減小寄生電感影響，提高整體電路穩(wěn)定性。對于高壓應用，還需要做好絕緣措施防止電氣擊穿。

IXYP50N65C3 規(guī)格參數

現有數量
2,320現貨
系列
GenX3?, XPT?
包裝
管件
產品狀態(tài)
在售
IGBT 類型
PT
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
650 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）
130 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)
250 A
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）
2.1V @ 15V，36A
功率 - 最大值
600 W
開關能量
1.3mJ（開），370μJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
80 nC
25°C 時 Td（開/關）值
22ns/80ns
測試條件
400V，36A，5 歐姆，15V
反向恢復時間 (trr)
-
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商器件封裝
TO-220-3

芯知識

2.1萬

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