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IXTR68P20T

更新時間:2025-05-24 07:18:21

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IXTR68P20T 概述

IXTR68P20T是IXYS公司生產的一款功率MOSFET，專為高效電源轉換設計。該器件采用TO-247封裝，具有低導通電阻和高電流處理能力的特點。其最大漏源電壓為200V，適合在高壓應用中使用。典型應用場景包括不間斷電源（UPS）、開關模式電源（SMPS）以及電機驅動器等需要高效能量管理的場合。在實際應用中，建議在電路設計時確保柵極驅動電路能夠提供足夠的電壓以完全開啟MOSFET。此外，為了防止過熱損壞，應考慮適當的散熱措施或安裝散熱片。對于高頻應用，需注意布局以減少寄生電感和電容的影響，從而提高整體系統(tǒng)效率。

IXTR68P20T 規(guī)格參數

現(xiàn)有數量
0現(xiàn)貨
系列
-
包裝
管件
產品狀態(tài)
停產
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
200 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
44A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
64 毫歐 @ 34A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
380 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±15V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
33400 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
270W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
ISOPLUS247?
封裝/外殼
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芯知識

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廣東微爾科技有限公司

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