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IXTQ76N25T

更新時間:2025-05-17 11:23:29

供應(yīng)商
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昆山隆誠翔電子有限公司
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深圳市芯國創(chuàng)科技有限公司
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深圳市德江源電子有限公司
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芯德微聯(lián)（深圳）電子有限公司
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IXTQ76N25T外觀圖

IXTQ76N25T

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 250V 76A TO-3P

封裝:TO-3P-3，SC-65-3

IXTQ76N25T 概述

IXTQ76N25T是IXYS公司生產(chǎn)的一款高性能N溝道功率MOSFET。該器件采用TO-247封裝，具有低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力，適用于高效能電源管理應(yīng)用。其最大漏源電壓為250V，能夠承受高達76A的連續(xù)漏極電流，非常適合用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動以及不間斷電源系統(tǒng)等場景。由于其優(yōu)秀的熱性能和電氣特性，在需要高效能量轉(zhuǎn)換的工業(yè)設(shè)備中廣泛應(yīng)用。在實際應(yīng)用中，需注意其散熱設(shè)計以確保最佳性能，并且在電路設(shè)計時要合理選擇柵極驅(qū)動電阻來優(yōu)化開關(guān)速度，避免不必要的損耗。

IXTQ76N25T 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
30
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
250V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
76A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
39 毫歐 @ 500mA，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
92nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
4500pF @ 25V
功率 - 最大
460W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-3P-3，SC-65-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-3P
包裝
管件

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IXTQ130N10T
IR2184S

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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