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IXTH460P2

更新時間:2025-06-05 02:12:50

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IXTH460P2 概述

IXTH460P2是由IXYS公司生產的一款高性能功率MOSFET。該型號采用TO-247封裝，具有低導通電阻和高電流處理能力，適用于高功率應用環(huán)境。其最大漏極電流（ID）可達190A，柵源電壓（VGS）為±30V，在開關電源、電機驅動以及不間斷電源系統等場景中表現出色。由于其低開關損耗和快速的開關速度，特別適合高頻應用。在實際應用中，建議注意散熱設計以確保器件穩(wěn)定工作，并根據具體電路需求合理選擇驅動電阻值以優(yōu)化開關性能。同時，為防止柵極過壓損壞，推薦并聯一個齊納二極管進行保護。

IXTH460P2 規(guī)格參數

現有數量
0現貨查看交期
系列
PolarP2?
包裝
管件
產品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
500 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
24A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
270 毫歐 @ 12A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
48 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
2890 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
480W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-247（IXTH）
封裝/外殼
TO-247-3

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廣東微爾科技有限公司

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IXTH460P2
IXTH02N250
IXTH03N400
IXTH102N20T
IXTH10N100D2
IXTH10N60
IXTH10N80A
IRFP150N

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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