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IXGN400N30A3

更新時間:2025-06-05 11:20:45

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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司
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深圳市河鋒鑫科技有限公司
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原廠渠道，現(xiàn)貨配單

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深圳市慶馳電子科技有限公司
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上海熠富電子科技有限公司
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上海原裝現(xiàn)貨庫存，歡迎查詢

深圳市華芯源電子有限公司
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柒號芯城，離原廠的距離只有0.07公分

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優(yōu)勢代理渠道,原裝,可全系列訂貨開增值稅票

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有上有貨原裝現(xiàn)貨可看貨，提供配單服務(wù)

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只做原裝,專注海外現(xiàn)貨訂購20年

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昂富（深圳）電子科技有限公司
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一手渠道假一罰十原包裝常備現(xiàn)貨林R Q2280193667

深圳市金燦利電子科技有限公司
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IXGN400N30A3外觀圖

IXGN400N30A3

IXYS IGBT

IGBT 300V SOT-227B

封裝:SOT-227-4，miniBLOC

IXGN400N30A3 概述

IXGN400N30A3是IXYS公司生產(chǎn)的一款高性能功率MOSFET。這款器件采用先進的Trench技術(shù)，具備低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，適用于高效能電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用。其最大漏源電壓（Vds）為300V，適合中高壓應(yīng)用場景如工業(yè)逆變器、不間斷電源（UPS）、開關(guān)電源（SMPS）及電機驅(qū)動控制等。在實際應(yīng)用中，建議設(shè)計者注意柵極驅(qū)動電路的設(shè)計以確保MOSFET能夠可靠開啟和關(guān)閉。由于該型號具有較低的Rds(on)，可以在減少熱損耗的同時提高系統(tǒng)效率。當(dāng)用于高頻開關(guān)電路時，需考慮PCB布局優(yōu)化以降低寄生電感影響，避免振蕩現(xiàn)象的發(fā)生。此外，在進行熱設(shè)計時應(yīng)充分考慮散熱措施，以保證器件長期穩(wěn)定運行。

IXGN400N30A3 規(guī)格參數(shù)

標(biāo)準包裝
10
類別
半導(dǎo)體模塊
家庭
IGBT
系列
GenX3™
IGBT 類型
PT
配置
單一
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
300V
Vge, Ic時的最大Vce（開）
1.15V @ 15V，100A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
400A
電流 - 集電極截止（最大）
50µA
Vce 時的輸入電容 (Cies)
19nF @ 25V
功率 - 最大
735W
輸入
標(biāo)準型
NTC 熱敏電阻
無
安裝類型
底座安裝
封裝/外殼
SOT-227-4，miniBLOC
供應(yīng)商設(shè)備封裝
SOT-227B

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