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IXFX26N100P

更新時間:2025-05-23 15:49:06

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IXFX26N100P

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 1000V 26A PLUS247

封裝:TO-247-3

IXFX26N100P 概述

IXFX26N100P是IXYS公司生產的一款高性能功率MOSFET。該器件采用IXYS專有的HiPerFET技術，具有極低的導通電阻和快速開關特性。其最大漏源電壓Vds為1000V，連續(xù)漏極電流Id為26A，在高溫條件下也能保持穩(wěn)定的性能。該MOSFET適用于需要高效率和可靠性的高壓應用場合。典型應用場景包括工業(yè)電源、不間斷電源系統(tǒng)(UPS)、電機驅動器、電焊機和其他要求嚴格的應用。在這些應用中，IXFX26N100P能夠有效降低功耗并提高整體系統(tǒng)效率。使用時應注意合理設計散熱系統(tǒng)以確保器件工作在安全溫度范圍內，并遵循制造商提供的電氣參數進行電路設計。對于高頻應用，需特別關注柵極驅動電路的設計以充分發(fā)揮其快速開關的優(yōu)勢。

IXFX26N100P 規(guī)格參數

標準包裝
30
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
Polar™ HiPerFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
1000V（1kV）
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
26A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
390 毫歐 @ 13A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
6.5V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
197nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
11900pF @ 25V
功率 - 最大
780W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商設備封裝
PLUS247?-3
包裝
管件

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