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IXFT14N100

更新時間:2025-05-18 14:10:35

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IXFT14N100

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 1000V 14A TO-268

封裝:TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA

IXFT14N100 概述

IXFT14N100是IXYS公司生產的一款高性能功率MOSFET。這款器件設計用于高電壓應用，具有1000V的漏源擊穿電壓能力，最大連續(xù)漏極電流為14A。其低導通電阻特性有助于減少能量損耗，提高系統效率。該芯片采用TO-264封裝，適用于需要高可靠性和高效能的高壓開關電路中。典型應用場景包括不間斷電源（UPS）、直流-直流轉換器、電機驅動以及各種工業(yè)和消費電子設備中的開關電源。在實際應用中，確保柵極驅動電路能夠提供足夠的電壓以充分開啟MOSFET，通常需要10到15V的柵極電壓。此外，在布局PCB時，盡量縮短源極和柵極引線長度可以減少寄生電感影響，從而避免高頻振蕩。對于熱管理方面，建議使用適當的散熱器以保持器件工作溫度在安全范圍內。

IXFT14N100 規(guī)格參數

標準包裝
30
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
HiPerFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
1000V（1kV）
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
14A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
750 毫歐 @ 500mA，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4.5V @ 4mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
220nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
4500pF @ 25V
功率 - 最大
360W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA
供應商設備封裝
TO-268
包裝
管件

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