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IXFA110N15T2

更新時間:2025-07-26 02:58:09

供應商
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只做原裝正品，提供一站式配套服務
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深圳市誠研翔科技有限公司
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深圳市華芯源電子有限公司
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北京睿宸齊芯科技有限公司
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IXFA110N15T2外觀圖

IXFA110N15T2

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 150V 110A D2PAK

封裝:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

IXFA110N15T2 概述

IXFA110N15T2是IXYS公司生產的一款高性能N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的TrenchFET技術，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高效功率轉換應用。其最大漏源電壓為150V，連續(xù)漏極電流能力達到110A，在需要高功率密度和能效的場合表現(xiàn)卓越。典型應用場景包括不間斷電源(UPS)、直流-直流轉換器、電機驅動以及太陽能逆變器等電力電子系統(tǒng)。在這些應用中，IXFA110N15T2能夠幫助提升系統(tǒng)整體效率，減少熱損耗。使用時應注意適當?shù)纳嵩O計，并根據(jù)具體電路需求選擇合適的柵極驅動方案以確保最佳性能。在高頻應用中，還需考慮PCB布局對EMI的影響，合理安排走線以降低干擾。

IXFA110N15T2 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
800
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
TrenchT2™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
150V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
110A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
13 毫歐 @ 500mA，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
150nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
8600pF @ 25V
功率 - 最大
480W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝
TO-263（D2Pak）
包裝
帶卷 (TR)

視頻廣告作為自主零售終端的“能量心臟”，HVP6-24S12始終穩(wěn)供不宕機！

廣東微爾科技有限公司

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