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IXBT20N360HV

更新時間:2025-05-29 08:59:24

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IXBT20N360HV 概述

IXBT20N360HV是英飛凌科技公司生產的一款高性能高壓MOSFET。該器件專為高可靠性應用設計，具有極低的導通電阻和快速開關特性，在減少功耗的同時提高系統效率。其額定電壓高達360V，適用于需要高效電源管理的場合。典型應用場景包括不間斷電源（UPS）、太陽能逆變器、工業(yè)電機驅動以及電動汽車充電系統等。在這些應用中，IXBT20N360HV能有效提升系統的整體性能，降低熱損耗，并增強系統的穩(wěn)定性和耐用性。使用建議：在設計電路時，需注意柵極驅動電路的設計以確保MOSFET可靠開啟與關閉。此外，應根據具體應用需求選擇合適的散熱方案，避免過熱導致性能下降或損壞。對于高頻應用，還需優(yōu)化PCB布局以減小寄生電感的影響。

IXBT20N360HV 規(guī)格參數

現有數量
0現貨
系列
BIMOSFET?
包裝
管件
產品狀態(tài)
不適用于新設計
IGBT 類型
-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
3600 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）
70 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)
220 A
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）
3.4V @ 15V，20A
功率 - 最大值
430 W
開關能量
15.5mJ（開），4.3mJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
110 nC
25°C 時 Td（開/關）值
18ns/238ns
測試條件
1500V，20A，10 歐姆，15V
反向恢復時間 (trr)
1.7 μs
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA
供應商器件封裝
TO-268AA

芯知識

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