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IS61NLP25672-200B1LI

更新時間:2025-05-27 10:51:18

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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深圳市芯福林電子科技有限公司
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原裝現(xiàn)貨力挺實單

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原裝現(xiàn)貨

海芯未來半導體電子（深圳）有
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行業(yè)十年，價格超越代理，支持權威機構檢測

深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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一級代理專營品牌原裝，優(yōu)勢現(xiàn)貨，長期排單到貨

深圳市萬佳電子貿(mào)易有限公司
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只做原裝，大量現(xiàn)貨供應

中科航電（深圳）電子集團有限
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一手渠道假一罰十原包裝常備現(xiàn)貨林R Q2280193667

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只做原裝,專注海外現(xiàn)貨訂購20年

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代理分銷現(xiàn)貨庫存，本公司承諾原裝假一賠百

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深圳市力通偉業(yè)半導體有限公司
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艾潤（香港）電子有限公司
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原裝部分現(xiàn)貨量大期貨

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深圳市芯翰半導體有限公司
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深圳市華普冠科電子科技有限公
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IS61NLP25672-200B1LI 概述

IS61NLP25672-200B1LI是Integrated Silicon Solution公司（ISSI）生產(chǎn)的一款高速CMOS靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）。該芯片具有256K x 72位的存儲容量，采用3.3V電源供電，適用于需要高可靠性和高性能的應用場景。其訪問時間為20ns，支持同步突發(fā)模式操作，數(shù)據(jù)傳輸速率較高。常見應用于網(wǎng)絡通信設備、路由器、交換機及工業(yè)控制系統(tǒng)中作為高速緩存或數(shù)據(jù)緩沖器使用。在電路設計時需注意信號完整性，確保數(shù)據(jù)線和地址線的匹配與抗干擾能力。建議搭配合適的去耦電容以提高電源穩(wěn)定性，并遵循制造商提供的PCB布局指南來優(yōu)化性能。

IS61NLP25672-200B1LI 規(guī)格參數(shù)

制造商
ISSI
產(chǎn)品種類
靜態(tài)隨機存取存儲器
存儲容量
18 Mbit
訪問時間
3.1 ns
Supply Voltage - Max
3.465 V
Supply Voltage - Min
3.135 V
最大工作電流
600 mA
最大工作溫度
+ 85 C
最小工作溫度
- 40 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
Mini-BGA
封裝
Tray
最大時鐘頻率
200 MHz
端口數(shù)量
8
工廠包裝數(shù)量
84
類型
Synchronous

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IS61
IS610
IS6110A14U
IS61C1024
IS61C1024-10J
IS61C1024-10JR
IRF540

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