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IRLR024NPBF

更新時間:2025-05-16 00:15:05

供應(yīng)商
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IRLR024NPBF外觀圖

IRLR024NPBF

International Rectifier FET - 單

MOSFET N-CH 55V 17A DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

IRLR024NPBF 概述

IRLR024NPBF是國際整流器公司（現(xiàn)為英飛凌旗下品牌）生產(chǎn)的一款N溝道增強型MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導通電阻和快速開關(guān)特性，適用于高頻應(yīng)用。其最大漏極-源極電壓為30V，在10V柵極驅(qū)動下的導通電阻僅為0.036Ω，適合高效功率轉(zhuǎn)換電路使用。典型應(yīng)用場景包括直流-直流轉(zhuǎn)換器、負載點調(diào)節(jié)器以及各種消費類電子產(chǎn)品中的電源管理模塊。在設(shè)計時應(yīng)注意適當?shù)腜CB布局以優(yōu)化散熱性能，并確保驅(qū)動電壓滿足閾值要求，避免因驅(qū)動不足導致的高導通損耗。建議在實際應(yīng)用中參考官方數(shù)據(jù)手冊進行參數(shù)確認與電路設(shè)計。

IRLR024NPBF 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
75
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
55V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
17A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
65 毫歐 @ 10A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
15nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
480pF @ 25V
功率 - 最大
45W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝
D-Pak
包裝
管件

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IRLR010NTRR
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IRLR014A
IRLR014ATF
IRLR014N
IRLR014NPBF
IRF9530

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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